產(chǎn)品名稱(chēng)：二硼化鉺（ErSi2）

規格：0.8-10um（D50）  

形貌：不規則

顏色：黑灰色 

特點(diǎn)：良好的導電性

用途：高溫抗氧化涂層材料、‌電加熱元件、‌集成電極薄膜等領(lǐng)域

中文名: 二硅化鉺
英文名: erbium disilicide
分子式: ErSi2
密度: 7.260
分子量: 223.43
CAS號: 12020-28-9
制備工藝：Er、Si、混合物在電爐加熱10～12h。
應用領(lǐng)域：
硅化鉺（ErSi）作為鉺與硅形成的金屬間化合物，其用途主要基于鉺元素的獨特物理化學(xué)性質(zhì)（如光學(xué)特性、磁學(xué)性能）以及硅化物的結構特點(diǎn)。
1. 光電子與光纖通信
摻鉺材料擴展：鉺離子（Er³?）是光纖通信中摻鉺光纖放大器（EDFA）的核心材料，但硅化鉺可通過(guò)納米結構或復合材料形式，在硅基光子學(xué)中發(fā)揮作用，例如：
近紅外發(fā)光器件：硅化鉺可作為硅基發(fā)光材料，用于集成光路或光通信芯片。
光電探測器：在特定波長(cháng)范圍內（如1.5 μm通信波段）的光電轉換器件中具有潛力。
2. 磁性材料與自旋電子學(xué)
磁存儲技術(shù)：鉺的強磁各向異性和硅化物的有序結構可于高密度磁記錄介質(zhì)或自旋電子器件（如磁阻存儲器）。
磁制冷材料：某些鉺基化合物在低溫下展現磁熱效應，硅化鉺可作為新型磁制冷工質(zhì)的研究對象。
3. 半導體與微電子
硅基器件集成：類(lèi)似其他稀土硅化物（如ErSi?），可用作集成電路中的低電阻接觸層或肖特基勢壘層，提升器件高頻性能。
高溫半導體：高熔點(diǎn)和穩定性使其可適用于高溫電子器件或功率半導體。
4. 核工業(yè)與輻射防護
中子吸收材料：鉺的中子俘獲截面較大，硅化鉺可用于核反應堆控制棒或中子屏蔽組件，但其輻照穩定性需驗證。
5. 催化與能源轉化
催化反應：鉺的催化活性可使硅化鉺用于甲烷重整、水分解制氫等反應，但需實(shí)驗驗證其活性位點(diǎn)與穩定性。
熱電材料：具備高電導率和低熱導率，可用于廢熱發(fā)電裝置。
6. 量子技術(shù)
量子比特載體：鉺離子的特殊能級結構（長(cháng)壽命相干態(tài)）可通過(guò)硅化鉺與硅基量子器件的集成，用于固態(tài)量子計算平臺。
7. 高溫結構材料
極端環(huán)境涂層：硅化鉺的高溫抗氧化性可用于航空發(fā)動(dòng)機葉片涂層或核聚變裝置內壁保護層，需結合增韌材料解決脆性問(wèn)題。
存儲方法：本品應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(cháng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果，另應避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運輸。