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    產(chǎn)品展示 當前位置:首頁(yè)產(chǎn)品展示—二硅化鎢 Tungsten disilicide(WSi2)
    二硅化鎢 Tungsten disilicide(WSi2)
    產(chǎn)品名稱(chēng):二硅化鎢(WSi2) 規格:0.8-10um(D50)   形貌:不規則 顏色:黑灰色  特點(diǎn):高熔點(diǎn)、高硬度、良好的導電性、熱穩定性和抗氧化性 用途:微電子、電子器件、能源存儲、催化劑等領(lǐng)域
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    產(chǎn)品詳情
    二硅化鎢 Tungsten disilicide(WSi2)

    產(chǎn)品名稱(chēng):二硅化鎢(WSi2

    規格:0.8-10um(D50)  

    形貌:不規則

    顏色:黑灰色 

    特點(diǎn):高熔點(diǎn)、高硬度、良好的導電性、熱穩定性和抗氧化性

    用途:微電子、電子器件、能源存儲、催化劑等領(lǐng)域

    硅化鎢
    CAS編號:12039-95-1
    EINECS編號:12039-95-1
    熔點(diǎn):2320°C
    密度:14.400 
    密度 :9.88 g/cm3
    性質(zhì):具有良好的抗氧化性,溶于氟王水,但是不溶于水。二硅化鎢的化學(xué)性質(zhì)它可以和許多的物質(zhì)發(fā)生劇烈反應,例如強酸、氟、氧化劑和鹵間化合物等。

    用途:WSi2常被用于微電子中作為觸電材料,其中電阻是60-80μΩcm。同時(shí)它也經(jīng)常被用多晶硅線(xiàn)上的分流器,從而增加多晶硅線(xiàn)的導電性和信號速度。二硅化鎢 (WSi2) 因其具有高熔點(diǎn)、較好的穩定性,及低電阻率的特點(diǎn),在 CMOS 制程上的應用已愈來(lái)愈普遍,主要用于提升金屬鋁和硅之間的歐姆接觸及用來(lái)和多晶硅 (Polysilicon) 一起作為 gate 的導體材料,以降低 gate 的電阻率。
    硅化鎢的制備方法:
    (1)將鎢粉和硅粉按摩爾比1:2配料,將鈦粉與石墨粉按摩爾比1:1配料,然后分別混合均勻。
    (2)將W-Si混合粉裝在坩堝中央,Ti-C混合粉均勻裝在W-Si混合粉與坩堝之間,最后在所有混合粉的頂部裝一層Ti-C混合粉,坩堝內所裝的Ti-C混合粉與W-Si混合粉的重量比例為(0.8~1.2):1
    (3)將裝混合粉的坩堝裝入一個(gè)密閉的反應器中,抽真空后充入氬氣,然后用鎢絲通電引發(fā)混合料間的反應。
    (4)冷卻后取出反應后的物料,將碳化鈦與二硅化鎢分開(kāi),分別破碎后得到碳化鈦和二硅化鎢粉末。
    包裝儲存:一般為惰氣防靜電包裝,應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長(cháng)久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。

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